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熱顯微鏡TM3對(duì)薄膜熱射流率的測(cè)試分析

發(fā)布時(shí)間:2024-12-16 點(diǎn)擊量:201

熱顯微鏡TM3對(duì)薄膜熱射流率的測(cè)試分析

隨著電子及微電子器件日益呈現(xiàn)小型化、薄型化和多功能集成化的發(fā)展特點(diǎn),電子產(chǎn)品的運(yùn)行功率和布線密度大幅增加,使得電子元器件、集成電路在單位體積內(nèi)產(chǎn)生的熱量急劇上升。由此引起的熱堆積現(xiàn)象愈發(fā)嚴(yán)重,導(dǎo)致電路傳輸信號(hào)的互連延遲、串?dāng)_并造成顯著能耗,嚴(yán)重影響電子器件的壽命和性能穩(wěn)定性。為及時(shí)將熱量散出,除采用冷凍法、水循環(huán)冷卻等外部方法外,提升電路基板或電子封裝用聚合物絕緣薄膜材料的導(dǎo)熱能力是一種可以從根本上解決散熱問題的有效方法。因此,開發(fā)兼具優(yōu)異絕緣性和導(dǎo)熱性的聚合物薄膜材料已成為國(guó)內(nèi)外研究及應(yīng)用的熱點(diǎn)。

聚酰亞胺(PI)是一類廣泛應(yīng)用于電氣、電子、微電子等領(lǐng)域的重要絕緣材料,具有優(yōu)異的耐熱、力學(xué)、絕緣、耐化學(xué)穩(wěn)定性等綜合性能。然而,傳統(tǒng)聚酰亞胺薄膜的導(dǎo)熱能力較低,本征導(dǎo)熱系數(shù)僅為0.1~0.2 W/(m·K),無法滿足先進(jìn)集成電路及微電子器件的快速散熱要求,極大限制了聚酰亞胺薄膜材料在光電領(lǐng)域更廣泛的應(yīng)用。

用于測(cè)量薄膜和微區(qū)域的熱射流率

熱顯微鏡TM3

特征

  • 熱物性顯微鏡是測(cè)量熱射流率的裝置,熱射流率是熱物性值之一。

  • 這是一種可以測(cè)量樣品的點(diǎn)、線、面熱物理性質(zhì)的裝置。

  • 還可以測(cè)量微米級(jí)的熱物理性質(zhì)值的分布,這在傳統(tǒng)的熱物理性質(zhì)測(cè)量設(shè)備中被認(rèn)為是困難的。

  • 這是一個(gè)能夠?qū)嵛锢硖匦赃M(jìn)行非接觸式高分辨率測(cè)量的設(shè)備。

  • 檢測(cè)光斑直徑為3μm,可以高分辨率測(cè)量微小區(qū)域的熱物理性質(zhì)(點(diǎn)、線、面測(cè)量)。

  • 由于可以在不同深度進(jìn)行測(cè)量,因此可以測(cè)量從薄膜、多層膜到散裝材料的所有材料。

  • 也可以測(cè)量基材上的樣品。

  • 使用激光的非接觸式測(cè)量。

  • 可以檢測(cè)薄膜下的裂紋、空隙和剝落。

熱物性顯微鏡測(cè)量原理(概述)

金屬薄膜沉積在樣品上,并使用加熱激光定期加熱。

  1. 金屬的反射率具有根據(jù)表面溫度而變化的特性(熱阻法),因此我們可以通過捕捉與加熱激光同軸照射的檢測(cè)激光的反射強(qiáng)度的變化來測(cè)量表面的相對(duì)溫度變化。我會(huì)。

  2. 熱量從金屬薄膜傳播到樣品,導(dǎo)致表面溫度響應(yīng)出現(xiàn)相位滯后。該相位延遲根據(jù)樣品的熱特性而變化。通過測(cè)量該加熱光和檢測(cè)光之間的相位延遲來確定熱射流率。

熱物性顯微鏡測(cè)量原理(概述)

主要規(guī)格

名稱/產(chǎn)品名稱熱物性顯微鏡/熱顯微鏡
測(cè)量模式熱物性分布測(cè)量(一維/二維/1點(diǎn))
測(cè)量項(xiàng)目熱射流率,(熱擴(kuò)散率),(導(dǎo)熱率)
檢測(cè)光斑直徑約3μm
1點(diǎn)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間10秒
待測(cè)薄膜厚度:數(shù)百nm至數(shù)十μm
重復(fù)性Pyrex 和硅的熱射流率小于±10%
樣本1. 樣品架30mm x 30mm,厚度5mm
2. 板狀樣品30mm x 30mm以下,厚度3mm以下
  • 樣品表面需進(jìn)行鏡面拋光。

  • 樣品表面需要進(jìn)行鉬濺射。

工作溫度范圍24℃±1℃(根據(jù)設(shè)備內(nèi)置溫度傳感器)
載物臺(tái)行程距離?X軸方向20mm
?Y軸方向20mm
?Z軸方向10mm
加熱激光半導(dǎo)體激光波長(zhǎng):808nm
檢測(cè)激光半導(dǎo)體激光波長(zhǎng):658nm
電源交流100V 1.5kVA
標(biāo)準(zhǔn)配件樣品架、參考樣品
選項(xiàng)光學(xué)平臺(tái)、空調(diào)、空調(diào)房、濺射設(shè)備
  • 性能和外觀如有改進(jìn),恕不另行通知。



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